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1
Halbleiterepitaxie
De Gruyter
Helmut Günther Schneider
schichten
abb
silicium
substrat
epitaxie
korund
verfahren
abscheidung
schicht
sowie
oberfläche
phys
soc
abhängigkeit
gaas
growth
electrochem
erfolgt
sih
bzw
crystal
homoepitaxie
eigenschaften
temperatur
epitaxieschichten
schichtdicke
spinell
cvd
autodoping
herstellung
hcl
temperaturen
beweglichkeiten
epitaxieschicht
bedeutung
sowohl
abschn
appi
reaktion
verbindungshalbleitern
versetzungen
bedingungen
liegen
verbindungen
konzentration
anwendung
bereich
tabelle
gasphase
läßt
Ano:
1985
Idioma:
german
Arquivo:
PDF, 32.00 MB
As suas tags:
0
/
0
german, 1985
2
Kristall und Technik: Band 7, Heft 11
De Gruyter
figur
kristall
crystals
gaas
schichten
spinell
temperatur
kristalle
technik
zeigt
k.r.z
kristalls
zink
bzw
elektronen
beobachtet
abhängigkeit
chrom
mikrohärte
vgl
epitaxieschichten
winkel
berlin
ergebnisse
kurven
schicht
substrat
tabelle
eigenschaften
messungen
struktur
versetzungen
schmelze
untersuchungen
abbildung
einkristallen
kcl
parameter
zusammensetzung
molybdän
vakuum
verschiedenen
orientierung
probe
werte
wurtzitstruktur
abgleitung
bereich
kurve
ppm
Ano:
2022
Idioma:
german
Arquivo:
PDF, 28.62 MB
As suas tags:
0
/
0
german, 2022
3
Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen
VS Verlag für Sozialwissenschaften
Prof. Dr. Heinz Beneking
,
Dr. Ulrich Langmann
,
Dipl.-Phys. Peter Lenz (auth.)
abb
gaas
verfahren
schmelze
tiber
messungen
reaktor
phys
epitaxieschichten
kristall
temperatur
dal3
bereich
verwendet
arsen
diffusionslangen
gallium
messung
solid
gemessen
gremmelmaier
reaktors
temperaturgradienten
verunreinigungen
diffusionslange
schicht
temperaturmessung
verwendung
appl
aufgetragen
mul3
quarz
zeigt
growth
ppm
wahrend
ziehgeschwindigkeit
aachen
apparatur
bzw
carrier
ergibt
kristalls
liegen
lifetime
regelung
urn
verlag
abhangigkeit
absorption
Ano:
1974
Idioma:
german
Arquivo:
PDF, 1.91 MB
As suas tags:
0
/
0
german, 1974
4
Kristall und Technik: Band 6, Heft 2
De Gruyter
temperature
crystals
kristalle
figur
bzw
sbsj
dielectric
flächen
kristall
growing
achse
tabelle
schichten
zeigen
crystal
cupc
tgse
nacl
struktur
technik
growth
solution
ätzgruben
schmelze
zeigt
cdse
gaas
schicht
temperatur
orientierung
proton
verbindungen
ergibt
untersuchungen
glycerine
soc
auftreten
eigenschaften
epitaxie
permeability
wert
wobei
kristallen
parallel
chemischen
einfluß
ergebnisse
erhalten
monocrystals
supersaturation
Ano:
2022
Idioma:
german
Arquivo:
PDF, 40.97 MB
As suas tags:
0
/
0
german, 2022
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